Thiết kế ba bài thí nghiệm khảo sát đặc tuyến vôn – ampe của transistor lưỡng cực (BJT)

Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Nguyễn, Văn Đông	-
dc.contributor.author	Bùi, Vũ My Na	-
dc.date.accessioned	2015-04-25T07:59:33Z	-
dc.date.available	2015-04-25T07:59:33Z	-
dc.date.issued	2014	-
dc.identifier.uri	http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030	-
dc.description	Khóa luận tốt nghiệp. Khoa Lý. Lớp 10 SVL	vi
dc.description.tableofcontents	Chương 1: Tổng quan về chất bán dẫn. Chương 2: Tổng quan về Transistor lưỡng cực (BJT). Chương 3: Giới thiệu dụng cụ và linh kiện có trong bài thí nghiệm. Chương 4: Thiết kế ba bài thí nghiệm.	vi
dc.language.iso	vi	vi
dc.publisher	Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng	vi
dc.subject	Thí nghiệm	vi
dc.subject	Vôn - Ample	vi
dc.subject	Transistor lưỡng cực	vi
dc.title	Thiết kế ba bài thí nghiệm khảo sát đặc tuyến vôn – ampe của transistor lưỡng cực (BJT)	vi
dc.type	Thesis	vi
Appears in Collections:	KLTN Khoa Vật Lý

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
14_Bui Vu My Na_10SVL R.pdf	Toàn văn	3.9 MB	Adobe PDF	Sign in to read

Check...