Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030Toàn bộ biểu ghi siêu dữ liệu
| Trường DC | Giá trị | Ngôn ngữ |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | Nguyễn, Văn Đông | - |
| dc.contributor.author | Bùi, Vũ My Na | - |
| dc.date.accessioned | 2015-04-25T07:59:33Z | - |
| dc.date.available | 2015-04-25T07:59:33Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.uri | http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030 | - |
| dc.description | Khóa luận tốt nghiệp. Khoa Lý. Lớp 10 SVL | vi |
| dc.description.tableofcontents | Chương 1: Tổng quan về chất bán dẫn. Chương 2: Tổng quan về Transistor lưỡng cực (BJT). Chương 3: Giới thiệu dụng cụ và linh kiện có trong bài thí nghiệm. Chương 4: Thiết kế ba bài thí nghiệm. | vi |
| dc.language.iso | vi | vi |
| dc.publisher | Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng | vi |
| dc.subject | Thí nghiệm | vi |
| dc.subject | Vôn - Ample | vi |
| dc.subject | Transistor lưỡng cực | vi |
| dc.title | Thiết kế ba bài thí nghiệm khảo sát đặc tuyến vôn – ampe của transistor lưỡng cực (BJT) | vi |
| dc.type | Thesis | vi |
| Bộ sưu tập: | KLTN Khoa Vật Lý | |
Các tập tin trong tài liệu này:
Đăng nhập để xem toàn văn
Nếu sau khi đăng nhập mà hệ thống chưa hiển thị, vui lòng nhấn F5 để cập nhật.
Nếu sau khi đăng nhập mà hệ thống chưa hiển thị, vui lòng nhấn F5 để cập nhật.
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.
