Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030| Nhan đề: | Thiết kế ba bài thí nghiệm khảo sát đặc tuyến vôn – ampe của transistor lưỡng cực (BJT) |
| Tác giả: | Nguyễn, Văn Đông Bùi, Vũ My Na |
| Từ khoá: | Thí nghiệm Vôn - Ample Transistor lưỡng cực |
| Năm xuất bản: | 2014 |
| Nhà xuất bản: | Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng |
| Mô tả: | Khóa luận tốt nghiệp. Khoa Lý. Lớp 10 SVL |
| Định danh: | http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030 |
| Bộ sưu tập: | KLTN Khoa Vật Lý |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
|---|---|---|---|---|
| 14_Bui Vu My Na_10SVL R.pdf | Toàn văn | 3.9 MB | Adobe PDF |  Đăng nhập để xem toàn văn |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.
