Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030| Nhan đề: | Thiết kế ba bài thí nghiệm khảo sát đặc tuyến vôn – ampe của transistor lưỡng cực (BJT) |
| Tác giả: | Nguyễn, Văn Đông Bùi, Vũ My Na |
| Từ khoá: | Thí nghiệm Vôn - Ample Transistor lưỡng cực |
| Năm xuất bản: | 2014 |
| Nhà xuất bản: | Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng |
| Mô tả: | Khóa luận tốt nghiệp. Khoa Lý. Lớp 10 SVL |
| Định danh: | http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030 |
| Bộ sưu tập: | KLTN Khoa Vật Lý |
Các tập tin trong tài liệu này:
Đăng nhập để xem toàn văn
Nếu sau khi đăng nhập mà hệ thống chưa hiển thị, vui lòng nhấn F5 để cập nhật.
Nếu sau khi đăng nhập mà hệ thống chưa hiển thị, vui lòng nhấn F5 để cập nhật.
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.
