Please use this identifier to cite or link to this item:
http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030| Title: | Thiết kế ba bài thí nghiệm khảo sát đặc tuyến vôn – ampe của transistor lưỡng cực (BJT) |
| Authors: | Nguyễn, Văn Đông Bùi, Vũ My Na |
| Keywords: | Thí nghiệm Vôn - Ample Transistor lưỡng cực |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng |
| Description: | Khóa luận tốt nghiệp. Khoa Lý. Lớp 10 SVL |
| URI: | http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030 |
| Appears in Collections: | KLTN Khoa Vật Lý |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 14_Bui Vu My Na_10SVL R.pdf | Toàn văn | 3.9 MB | Adobe PDF |  Sign in to read |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
