Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030
Title: Thiết kế ba bài thí nghiệm khảo sát đặc tuyến vôn – ampe của transistor lưỡng cực (BJT)
Authors: Nguyễn, Văn Đông
Bùi, Vũ My Na
Keywords: Thí nghiệm
Vôn - Ample
Transistor lưỡng cực
Issue Date: 2014
Publisher: Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng
Description: Khóa luận tốt nghiệp. Khoa Lý. Lớp 10 SVL
URI: http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030
Appears in Collections:KLTN Khoa Vật Lý

Files in This Item:

 Sign in to read

If the system does not display after logging in, please press F5 to refresh.



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

Google Scholar TM

Check...